東京大学 大学院工学系研究科電気系工学専攻 教授の染谷隆夫氏と同 助教の関谷毅氏の研究グループは，フラッシュ・メモリと同じ基本構造を備え，有機材料から成り、消去電圧が6V，読み出し電圧が1Vと小さい不揮発性メモリ「有機フラッシュ・メモリ」を開発した。
フレキシブルで1000回以上の書き込み/消去の繰り返しに耐えられ、メモリ保持時間をさらに伸ばすことができれば，電子ペーパーなどの大面積エレクトロニクス用途向けに利用できるようになる。 2009年12月11日付け「Science」に論文が掲載された。
2009年12月14日 日経BP Tech On! ニュース
